ALFA RPAR, RTU un LU sadarbojas ERAF projekta “Daudzslāņu silīcija nanokondensators ar uzlabotiem dielektriskiem slāņiem” ietvaros

Nanokondensatori (NC) tiek plaši izmantoti mikro un nanoierīcēs. NC ražošanas tirgus strauji attīstās un uzturēs savu attīstības tempu vismaz nākamos 10 gadus. NC izgatavošanai plaši izmanto uz silīcija balstītas tehnoloģijas. NC dielektrisko slāni visbiežāk iegūst, saliekot kopā vairākus Si₃N₄ (N) nanoslāņus, un ieskauj tos no abām pusēm ar SiO₂ (O), iegūstot ON…NO struktūru. N…N slāņus iegūst vairākos tehnoloģiskos reaktoros. NC ražošanas izmaksas var samazināt, iegūstot N…N slāņus vienā reaktorā. Kā arī ir nepieciešams nodrošināt NC noturību pret augstām temperatūrām un jonizējošo starojumu.

Projekta mērķis ir izstrādāt NC dielektrisko slāņu izgatavošanas inovatīvu tehnoloģiju, kas samazina NC ražošanas izmaksas, lai rezultātā palielinātu Latvijas ekonomikas zināšanietilpību, konkurētspēju un veicināt Latvijas ekonomikas ilgtspējīgu attīstību.

Projekta līguma numurs: 1.1.1.1/16/A/203
Finansējuma saņēmējs: Rīgas Tehniskā universitāte
Sadarbības partneri: Rīgas pusvadītāju aparātu rūpnīca AS “ALFA RPAR”, Latvijas Universitāte
Projekta īstenošanas termiņš: 01.03.2017.- 29.02.2020.
Projekta zinātniskais vadītājs: Profesors, Dr.habil.phys. Jurijs Dehtjars

Informācija par projekta rezultātiem ir pieejama:
http://bini.rtu.lv/petijumu-projekti/
https://www.lu.lv/zinatne/programmas-un-projekti/es-strukturfondi/eraf-sam-1111-praktiskas-ievirzes-petijumi/daudzslanu-silicija-nanokondensators-ar-uzlabotiem-dielektriskiem-slaniem/
http://www.alfarzpp.lv/Daudzsl.pdf