Daudzslāņu silīcija nanokondensators
11/02/2019
Autors: LETERA

ALFA RPAR, RTU un LU sadarbojas ERAF projekta “Daudzslāņu silīcija nanokondensators ar uzlabotiem dielektriskiem slāņiemietvaros

Nanokondensatori (NC) tiek plaši izmantoti mikro un nanoierīcēs. NC ražošanas tirgus strauji attīstās un uzturēs savu attīstības tempu vismaz nākamos 10 gadus. NC izgatavošanai plaši izmanto uz silīcija balstītas tehnoloģijas. NC dielektrisko slāni visbiežāk iegūst, saliekot kopā vairākus Si3N4 (N) nanoslāņus, un ieskauj tos no abām pusēm ar SiO2 (O), iegūstot ON…NO struktūru. N…N slāņus iegūst vairākos tehnoloģiskos reaktoros. NC ražošanas izmaksas var samazināt, iegūstot N…N slāņus vienā reaktorā. Kā arī ir nepieciešams nodrošināt NC noturību pret augstām temperatūrām un jonizējošo starojumu.

Projekta mērķis ir izstrādāt NC dielektrisko slāņu izgatavošanas inovatīvu tehnoloģiju, kas samazina NC ražošanas izmaksas, lai rezultātā palielinātu Latvijas ekonomikas zināšanietilpību, konkurētspēju un veicināt Latvijas ekonomikas ilgtspējīgu attīstību.

Projekta līguma numurs: 1.1.1.1/16/A/203
Finansējuma saņēmējs: Rīgas Tehniskā universitāte
Sadarbības partneri: Rīgas pusvadītāju aparātu rūpnīca AS “ALFA RPAR”, Latvijas Universitāte
Projekta īstenošanas termiņš: 01.03.2017.- 29.02.2020.
Projekta zinātniskais vadītājs: Profesors, Dr.habil.phys. Jurijs Dehtjars

Informācija par projekta rezultātiem ir pieejama:
http://bini.rtu.lv/petijumu-projekti/
https://www.lu.lv/zinatne/programmas-un-projekti/es-strukturfondi/eraf-sam-1111-praktiskas-ievirzes-petijumi/daudzslanu-silicija-nanokondensators-ar-uzlabotiem-dielektriskiem-slaniem/
http://www.alfarzpp.lv/Daudzsl.pdf

Visi jaunumi
Alfa RPAR

Mikroelektronikas komponenšu un elektronikas iekārtu dizains un ražošana.

Kontakti

Adrese: Ropažu iela 140, Rīga, LV-1006
Kontaktpersona: Aleksandrs Zaslavskis
Tālrunis: +371 67553075
E-pasts: alfa@alfarzpp.lv
Mājas lapa: www.alfarzpp.lv

Dalīties:
Saistītie jaunumi
Aizvērt
/