LETERA biedri iepazīstas ar inovatīvu nanokondensatoru ražošanas tehnoloģiju
25/02/2020
Autors: LETERA Foto: Līga Avotiņa

Lai sekmētu nozares sadarbību ar pētniecības institūcijām un iepazīstinātu uzņēmumus ar inovatīvu nanokondesatoru ražosšanas tehnoloģiju, LETERA Klasteris un RTU organizēja semināru “Nanokondensatori Latvijā”.

Seminārā LETERA Klastera dalībniekiem, partneriem un citiem interesentiem bija iespēja apmeklēt RTU Laboratoriju māju, kurā atrodas Enerģētikas un elektrotehnikas un Mašīnzinību, transporta un aeronautikas fakultāšu laboratorijas, iepazīties ar RTU Biomedicīnas inženierzinātņu un nanotehnoloģiju institūtu (BINI), kā arī uzzināt par pētījuma “Daudzslāņu silīcija nanokondensators ar uzlabotiem dielektriskiem slāņiem” rezultātiem.

Pētījums “Daudzslāņu silīcija nanokondensators ar uzlabotiem dielektriskiem slāņiem” tika uzsākts 2017.gada 1.martā ar mērķi izstrādāt nanokondensatoru dielektrisko slāņu izgatavošanas inovatīvu tehnoloģiju, kas samazina nanokondesatoru ražošanas izmaksas, lai rezultātā palielinātu Latvijas ekonomikas zināšanietilpību, konkurētspēju un veicinātu Latvijas ekonomikas ilgtspējīgu attīstību. Pētījuma rezultātā izdevās radīt unikālu tehnoloģiju nanokondensatora ar uzlabotiem dielektriskiem slāņiem izgatavošanai vienā reaktorā, kas ļauj ievērojami samazināt ražošanas izmaksas.

Nanokondenstori tiek izmantoti mikro un nanoierīcēs un to tirgus ļoti strauji attīstās. Prognozējams, ka šāds pieprasījums pēc termiski stabiliem un pret starojumu noturīgiem nanokondensatoriem saglabāsies vismaz nākamos 10 gadus. Latvijas ražotāju ienākšana šajā tirgū, izmantojot pētījuma rezultātā radīto tehnoloģiju, ļautu palielināt valsts ekonomikas izaugsmi par 0.23-10 milj. EUR mēnesī. Pētījums tika īstenots ar ERAF līdzfinansējumu. Pētījuma vadošais partneris ir Rīgas Tehniskā Universitāte, sadarbības partneri – Latvijas Universitāte un AS “ALFA RPAR”. Vairāk par pētījumu – www.rtu.lv

7 FOTO

Seminārs norisinājās projektu Nr.3.2.1.1/16/A/006 “Latvijas Elektronikas un elektrotehnikas nozares klasteris” un Nr.1.1.1.1/16/A/203 “Daudzslāņu silīcija nanokondensators ar uzlabotiem dielektriskiem slāņiem” ietvaros

Visi jaunumi
Dalīties:
Saistītie jaunumi
Aizvērt
/